Научная тематика работы: «Разработка элементов хранения резистивной памяти». Квалификационные требования: стаж работы – 5 лет Ученая степень – к. ф.-м. н. Опыт работы в области нанотехнологий: 5 лет Примерный перечень количественных показателей результативности труда: Наличие публикаций в базах данных Web of Science CoreCollection и Scopus за последние пять лет в научной области Участие в проектах, поддержанных грантами государственных и зарубежных научных фондов (РФФИ/РНФ/ и т. д.) в качестве ответственного исполнителя работ Наличие объектов интеллектуальной собственности, упоминающих претендента в роли автора Перечень трудовых функций:  сбор, обработка, анализ и обобщение научно-технической информации по теме: «Разработка физико-технологических основ создания встраиваемой сегнетоэлектрической и резистивной памяти»;  участие в составлении планов и методических программ исследований и разработок по теме: «Разработка физико-технологических основ создания встраиваемой сегнетоэлектрической и резистивной памяти»;  написание научных статей по теме: «Разработка физико-технологических основ создания встраиваемой сегнетоэлектрической и резистивной памяти». Ожидаемые результаты: реализация трудовых функций Условия работы: 5-ти дневная рабочая неделя, график работы с 9.00 до 18.00, г.Долгопрудный. Размер заработной платы: 42500 рублей (оклад), Контакты для ответа на вопросы претендентов по существу работы: +7 (926) 589-46-77;shadrin.av@mipt.ru